GA150KS61U |
RFQ for GA150KS61U |
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| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| GA150KS61U | - | - | N/A |
Features |
| • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode• Very low conduction and switching losses• HEXFRED™ antiparallel diodes with ultra- soft recovery• Industry standard package• UL approved• Generation 4 IGBT technology |
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Parameter |
Max. |
Units | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VCES |
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage |
600 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IC@ TC = 25 |
Continuous Collector Current |
150 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ICM |
Pulsed Collector Current |
300 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILM | Peak Switching Current |
300 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IFM | Peak Diode Forward Current |
300 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGE |
Gate-to-Emitter Voltage |
±20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VISOL | RMS Isolation Voltage, Any Terminal To Case, t = 1 min |
2500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PD@ TC = 25 |
Maximum Power Dissipation |
440 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD@ TC = 85 | Maximum Power Dissipation |
260 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ | Operating Junction Temperature Range |
-40 to +150 |
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| TSTG |
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